編輯此資訊 : 實現平面化技術拋光種類-專業研磨拋光

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拋光不能提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度，而是以得到光滑表面或鏡面光澤為目的，有時也用以消除光澤（消光）。通常以拋光輪作為拋光工具。拋光輪一般用多層帆布、毛氈或皮革疊制而成，兩側用金屬圓板夾緊，其輪緣涂敷由微粉磨料和油脂等均勻混合而成的拋光劑。 拋光時，高速旋轉的拋光輪（圓周速度在20米/秒以上）壓向工件，使磨料對工件表面產生滾壓和微量切削，從而獲得光亮的加工表面，表面粗糙度一般可達Ra0.63～0.01微米;當采用非油脂性的消光拋光劑時，可對光亮表面消光以改善外觀。 大批量生產軸承鋼球時，常采用滾筒拋光的方法。 目前實現平面化技術拋光主要有以下幾種-專業研磨拋光企業來為大家娓娓道來： 離子轟擊拋光技術、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposit, CVD)、電化學拋光技術、浮法拋光技術、化學機械拋光技術(Chemical Mechanical Polishing, CMP)等。 　　離子轟擊拋光技術采用轟擊離子接近平行于工件表面的方法可以實現表面的納米級拋光。但是其缺點是很難實現大面積的均勻拋光，特別是對于非均質表面。另外，其去除率小、成本高。 　　化學氣相沉積(CVD)與物理氣相沉積法、電鍍法同屬于一類，就是利用沉積原子逐步填充凹陷部分，使光刻表面逐步接近于平整。這些方法不能完全達到表面的平整度要求，必須與其它方法相結合，才能實現全局平整化。 　　電化學拋光技術利用陽極氧化犧牲的原理實現對陽極工件的拋光。其優點在于，由于電化學拋光是非接觸的，無壓力拋光，在拋光過程中不會發生工件變形、表面硬化等。但它目前還存在表面平整度不夠高(一般在亞微米級)，晶界腐蝕等問題。要達到亞納米級的拋光精度，還有較大的困難。另外，其電化學拋光機理也決定了它只適合金屬材料的表面拋光——不銹鋼制品拋光企業友情指出！ 　　浮法拋光技術實際上是一種改進了的磨粒的機械拋光過程，它采用金屬錫作為拋光磨盤材料，磨盤和工件浸沒在拋光液(含微粉磨料)中，磨盤與工件同向旋轉，借助磨料與工件表面的碰撞、磨削作用得到光潔表面，表面粗糙度可達1 nm以下。目前主要應用于光學零件、晶體、音響磁頭等。缺點是拋光時間過長，一般達數小時之久，生產效率低，因而難以大范圍的工業化應用。 　　目前西方普遍采用化學機械拋光(CMP)技術進行表面的精拋光。CMP是機械削磨和化學腐蝕的組合技術，CMP的基本原理是將待拋光工件在一定的下壓力及拋光液(由超細顆粒研磨劑、化學氧化劑和液體介質水組成的混合液)的存在下相對于拋光墊作旋轉運動，借助磨粒的機械磨削及化學氧化劑的腐蝕作用來完成對工件表面的材料去除，并獲得光潔表面。 我司服務： 機械零部件研磨拋光 http://www.kukuyan.com

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