編輯此資訊 : 深硅刻蝕方法您了解嗎——蘇州深硅刻蝕廠家

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硅RIE刻蝕的基本原理含有F, Cl, Br, I單質或者化合物氣體均可以作為硅的刻蝕劑,（離子束刻蝕）添加一些輔力氣體有助于提高它的選擇性, 常用刻蝕劑組合如: CF4/O2, CF2CL2, CF3CL，SF6rO2/CL2，CCL4, NF3, CCL4, CHF3等.不管上述哪一種化合物作為刻蝕劑，在等離子體中都會存在大量的鹵素原子，它們以化學吸附方式與硅表面結合，在沒有外力作用的情況下，反應生成的產物分離的速率很慢，特別是CI,Br,I原子更是如此，構成了Si與其它活性成份進--步接觸的障礙，但是，當它們得到電子之后，就會 與Si 一起離開表面，所以，重摻雜的N型硅會顯著增加自發(fā)反應的速度。這種反應是熱力學上自發(fā)進行的反應，只要使它們相遇便能夠促成反應，因此它是各向同性的，從熱力學觀點出發(fā)，按照F, Cl,Br,I順序，它們與Si自發(fā)反應的能力逐漸減弱，I并不常用，可能是它的蒸汽壓比較低，與硅的化合物不那么穩(wěn)定。 刻蝕方法——蘇州深硅刻蝕廠家小編來為大家娓娓道來 ： 刻蝕至簡單至常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或流質來進行刻蝕。 濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用流質與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是： 濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕 優(yōu)點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低 缺點是：鉆刻嚴重、對圖形的控制性較差，不能用于小的特征尺寸；會產生大量的化學廢液 干法刻蝕種類很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕 。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點是：各向異域好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如阻蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔力自由基刻蝕ICP等 [3] 。 干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕（Plasma Etching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。 有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源顯著的侵蝕，這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護地區(qū)域。 編輯：MEMS加工? http://www.szjtnano.com/? ?

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