編輯此資訊 : 深度光刻技術—上海激光刻字

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激光刻字集成電路制造中利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發(fā)展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術-上海激光刻字友情指出！ 常規(guī)光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，至終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。 激光刻字加工中微米級圖形的光復印技術除要求先進的曝光系統(tǒng)外,對扌亢蝕劑的特性、成膜技術、顯影技術、超凈環(huán)境控制技術、刻蝕技術、硅片平整度、變形控制技術等也有極高的要求。 深度光刻也是目前研究比較熱門的一項技術,以前的光刻都只限于表面光刻,膠層厚度僅為1Lm左右,現在由于一些特殊的應用,如離子刻蝕,剝離,三維微機械和LIGA工藝等,需要制備幾十甚至幾百微米厚的膠層。由于焦深的原因,深度光刻通常都采用接觸/接近式光刻(但也有少數采用1@投影式光刻)。光源目前主要為紫外光和X射線,紫外光目前正膠可做到100Lm左右厚度,再厚就很難曝透。負膠靈敏度高甚至可以做出600Lm厚,50Lm寬的圖形,只是曝光時間較長。X射線是今后深度光刻發(fā)展的方向,用于深度光刻的X射線一般需采用0.1~0.4nm范圍內的硬X射線,這個波段的硬X射線穿透力較強,可使深層的光刻膠感光,X射線可光刻出500Lm左右厚度的圖形,曝光時間也較長[15] 。上海激光焊接指出，此外硬X射線穿透力較強,對掩膜的吸收層厚度也有一定要求。 深度光刻對分辨率的要求不高,通常只要求做到20~50Lm左右的分辨率,但要求較高的深寬比。如果既要求一定的厚度,又要求較高的分辨率,這在工藝中是很難實現的,例如要在10Lm厚的膠層上刻出2Lm的線條,就相當于要在1Lm厚的膠層上刻出0.2Lm的線寬。但UltratechStepper公司的研究人員已采用1@投影式光刻機分別在10Lm和100Lm厚的膠層上刻出了2Lm和7Lm的線條深度光刻對側壁和底面的陡度要求較高,從一些實驗結果來看,紫外光和X射線都基本能滿足要求。 我司相關服務： 上海氬弧焊接 歡迎有需求的用戶點擊進入我司主頁http://www.shlqjg123.com訪問，了解我司更多服務！

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