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深圳晶振廠傢晶振電容晶振負(fù)載電容

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衆(zhòng)所週知，世界上任何一個事物都會有它相應(yīng)的特性，晶振也不例外，每一款晶振都會有它相對應(yīng)的規(guī)格參數(shù)，負(fù)載電容、額定頻率範(fàn)圍、頻率公差(標(biāo)準(zhǔn))、工作溫度、儲存溫度、激勵功率等。今天鬆季電子就帶大傢深層次瞭解晶振負(fù)載電容。

負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。也可以看作電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個測試條件，也是一個使用條件。

應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因爲(wèi)石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振;另一個爲(wèi)並聯(lián)諧振晶振的髙負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負(fù)載電容一緻，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率昇髙。

負(fù)載電容是晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是爲(wèi)瞭使晶振兩端的等效電容等於或接近負(fù)載電容。要求髙的場闔還要考慮ic輸入端的對地電容。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。

晶振的負(fù)載電容是分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十PF。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般客戶向我們詢問晶振時我們都會問他們所需晶振的負(fù)載電容是多少。晶振上接的一個電阻是反饋?zhàn)饔茫拐袷幤魅菀灼鹫瘛?br/>
晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)係到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那麼買來的晶體準(zhǔn)確度就會差，關(guān)於負(fù)載電容的計算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。

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